Ученые создали в графене запрещенную зону, поместив его на изгибы подложки из карбида кремния. Работа опубликована в журнале Nature Physics, а ее краткое содержание можно прочитать на сайте Технологического института Джорджии.
В качестве подложки ученые использовали карбид кремния, в котором создавались специальные борозды глубиной до 20 нанометров. Травление проводили при помощи пучка электронов.
Авторы обнаружили, что складывание графена на подложке создает в нем характерную для полупроводников запрещенную зону и, таким образом, превращает в полупроводник. Запрещенная зона - это область диапазона энергий, которой не может обладать электрон в веществе. В полупроводнике она отделяет валентные электроны от электронов, проводящих ток.
Потенциально, это позволит избежать необходимости в металлических контактах и позволит создать полностью углеродные микрочипы.
2 013
