» » Эксперты Intel: закон Мура будет актуален и после 2025 года
15 декабря 2021; 11:59

Эксперты Intel: закон Мура будет актуален и после 2025 года

Категория: Статьи




Intel уже не раз заявляла о намерении опередить эволюцию процессоров, предсказанную Гордоном Муром — одним из своих основателей. На недавней конференции IEDM 2021 компания, наконец, раскрыла первые подробности о планах по достижению заметного прироста производительности фирменных чипов.

В рамках мероприятия Intel объявила о планах по повышению плотности упаковки процессоров более чем в 10 раз. Ожидается, что новый подход позволит на 30-50% уменьшить площадь логических схем, значительно усовершенствовать схемы питания и размещения памяти, и в перспективе полностью изменить вычислительные технологии.

Компания разрабатывает новое решение для эпохи после FinFET с применением вертикального монтажа нескольких транзисторов, которое позволит продлить актуальность закона Мура за счёт размещения большего числа элементов на квадратный миллиметр. Инженеры бренда также исследуют новейшие материалы, толщина которых составляет всего несколько атомов, для создания транзисторов следующего поколения.

Наконец, компания изучает более эффективные технологии питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов, а также разрабатывает ячейки встраиваемой памяти DRAM с низкими задержками чтения/записи на основе ферроэлектрических материалов. Ранее генеральный директор Intel Патрик Гелсингер заявил, что технологического прорыва чипмейкер намерен добиться не позднее 2025 года.

* * *



Зако́н Му́ра (англ. Moore's law) — эмпирическое наблюдение, изначально сделанное Гордоном Муром, согласно которому (в современной формулировке) количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые 24 месяца. Часто цитируемый интервал в 18 месяцев связан с прогнозом Давида Хауса из Intel, по мнению которого, производительность процессоров должна удваиваться каждые 18 месяцев из-за сочетания роста количества транзисторов и увеличения тактовых частот процессоров.

Рост числа транзисторов на кристалле микропроцессора показан на графике справа. Точки соответствуют наблюдаемым данным, а прямая — периоду удвоения в 24 месяца.

© ru.wikipedia.org



_

Теги: intel moore cpu

© 4pda

<
ion_nsk_region

19 декабря 2021 05:07

Информация к комментарию
  • Группа: Посетители
  • Регистрация: 2.09.2012
  • Статус: Пользователь offline
  • Публикаций: 0
  • Комментариев: 356
Вертикальный монтаж, это уже переход в объём. В случае плоскости они напрямую отводили тепло от одного слоя транзисторов. В случае перехода в объём (многослойную структуру) повышается риск перегрева и разрушения транзисторов расположенных между несколькими слоями собратьев.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.