Из пресс-релиза, кстати, становится известно, что память 3D V-NAND состоит из двухбитовых ячеек. Во всяком случае, аббревиатура MLC однозначно закрепилась за памятью, способной хранить два заряда в каждой элементарной управляемой области. Из этого также следует, что наши коллеги с EE Times ошиблись при попытке вычислить техпроцесс производства 3D V-NAND. Если каждая ячейка 3D V-NAND хранит два бита данных, кристаллы 3D V-NAND могут быть выпущены с помощью техпроцесса более старого, чем 45 нм. Сама Samsung, к сожалению, не спешит прояснить картину.
Также нет чётких показателей по скоростям чтения/записи. Понятно, спешили к мероприятию, и успели не всё. Заявлено, что обе модели SSD 3D V-NAND — 480-Гб и 960-Гб — на 20% быстрее аналогов на основе памяти класса 10-нм по скорости последовательной записи и по скорости записи случайных блоков. При этом число допустимых циклов стирания ячейки равно 35000. Напомним, с начала массовой эксплуатации NAND-флэш MLC с нормами 50-40 нм число допустимых циклов стирания снизилось до 10000. Это если не использовать всякие хитрые алгоритмы для коррекции ошибок. Это снова поднимает вопрос, с помощью какого техпроцесса выпущена память 3D V-NAND.
Новые накопители поставляются с интерфейсом SATA 6 Гбит/с в формфакторе 2,5 дюйма. Цена не сообщается, как и нет точной даты начала поставок.
2 136
