Последняя известна как магниторезистивная память произвольного доступа или MRAM.
Ученые из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе называют новую память MeRAM — магнитоэлектрическая память произвольного доступа. Разработка имеет большой потенциал, который будет использоваться в чипах памяти будущего для практически всех электронных устройств, включая смартфоны, планшеты, компьютеры и микропроцессоры, а также твердотельные накопители, применяемые в компьютерах и больших дата-центрах.
Основное преимущество магнитоэлектрической памяти произвольного доступа по сравнению с существующими технологиями в том, что она сочетает удивительно низкую энергию с весьма высокой плотностью, высокоскоростным считыванием и записью, а также неизменчивость — способность сохранять данные даже без приложения энергии, подобно жестким дискам и флэш-памяти, но при этом MeRAM действует намного быстрее.
В настоящее время магнитная память основана на технологии под названием перенос спинового момента (spin-transfer torque или STT), которая помимо заряда использует магнитные свойства электронов. STT задействует электрический ток для перемещения электронов и записи данных в память.
2 060
